Единое окно доступа к образовательным ресурсам

Радиационные эффекты в интегральных микросхемах и методы испытаний изделий полупроводниковой электроники на радиационную стойкость: Учебное пособие

ВУЗ: Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) Кафедра "Физические основы электронной техники"

Регион РФ:  Москва

Год публикации: 2002

Библиографическая ссылка:: Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах и методы испытаний изделий полупроводниковой электроники на радиационную стойкость: Учебное пособие по дисциплине "Радиационная стойкость изделий электронной техники". - М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 2002. - 46 с.

Голосов: 1

Основным содержанием учебного пособия является: рассмотрение вопросов влияния радиации на интегральные микросхемы; рассмотрение вопросов воздействия импульсного рентгеновского излучения; рассмотрение методов испытаний изделий электронной техники на радиационную стойкость.

Уровень образования:

Отзывы

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять отзывы. Уже зарегистрированы?

Яндекс цитирования Яндекс.Метрика