Единое окно доступа к образовательным ресурсам

Радиационная стойкость биполярных транзисторов: Учебное пособие

ВУЗ: Московский государственный институт электроники и математики (технический университет) Кафедра "Физические основы электронной техники"

Регион РФ:  Москва

Год публикации: 2000

Библиографическая ссылка:: Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Радиационная стойкость биполярных транзисторов: Учебное пособие по дисциплине "Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и радиоэлектронных устройств". - М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 2000. - 102 с.

Голосов: 0

Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов влияния радиации, создающей структурные дефекты, на основные параметры биполярных транзисторов. Рассматриваются вопросы, связанные с влиянием ионизационных факторов на работу транзисторов (радиационные переходные процессы); рассматривается влияние ядерных реакций и быстрого отжига на параметры транзисторов; дается классификация радиационных эффектов в биполярных транзисторах.

Уровень образования:

Отзывы

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять отзывы. Уже зарегистрированы?

Яндекс цитирования Яндекс.Метрика