Единое окно доступа к образовательным ресурсам

Исследование инфракрасных фоторезисторов на внутризонных переходах в квантовых ямах InGaAs/GaAs: Описание лабораторной работы

ВУЗ: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Регион РФ:  Нижегородская область

Год публикации: 2006

Библиографическая ссылка:: Горшков А.П., Карпович И.А., Филатов Д.О. Исследование инфракрасных фоторезисторов на внутризонных переходах в квантовых ямах InGaAs/GaAs: Описание лабораторной работы. - Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2006. - 18 с.

Голосов: 1

В работе описаны физические основы межподзонного поглощения излучения в квантовых ямах, принцип работы основанных на этом явлении резистивных инфракрасных фотодетекторов и методика исследования их спектральной характеристики на фурье-спектрометре. Для студентов вузов, обучающихся по специальности 202000 "Нанотехнологии в микроэлектронике". Подготовлено на кафедре физики полупроводников и оптоэлектроники ННГУ.

Уровень образования:

Отзывы

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять отзывы. Уже зарегистрированы?

Яндекс цитирования Яндекс.Метрика