Единое окно доступа к образовательным ресурсам

Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы

ВУЗ: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Регион РФ:  Нижегородская область

Год публикации: 1999

Библиографическая ссылка:: Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галия методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы. - Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 1999. - 16 с.

Голосов: 0

Эпитаксиальный рост монокристаллических слоев полупроводников из газовой фазы широко используется в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель данной лабораторной работы состоит в ознакомлении студентов с физико-химическими основами эпитаксиального роста методом МОСГЭ, получении практических навыков работы с технологическим оборудованием и полупроводниковыми материалами. Подготовлено в Научно-исследовательском физико-технологическом институте ННГУ.

Уровень образования:

Отзывы

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять отзывы. Уже зарегистрированы?

Яндекс цитирования Яндекс.Метрика