Единое окно доступа к образовательным ресурсам

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы

ВУЗ: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского

Регион РФ:  Нижегородская область

Год публикации: 2001

Библиографическая ссылка:: Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы. - Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2001. - 18 с.

Голосов: 0

В пособии описаны основы технологии роста гетероструктур с квантовыми точками методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭ МОС). Цель работы: освоение основных принципов и экспериментальных навыков эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками на основе арсенида галлия. Подготовлено в Научно-исследовательском физико-технологическом институте ННГУ.

Уровень образования:

Отзывы

Только зарегистрированные пользователи могут оставлять отзывы. Уже зарегистрированы?

Яндекс цитирования Яндекс.Метрика