Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы
ВУЗ: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского
Регион РФ: Нижегородская область
Год публикации: 2001
Библиографическая ссылка:: Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы. - Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2001. - 18 с.
В пособии описаны основы технологии роста гетероструктур с квантовыми точками методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений (ГФЭ МОС). Цель работы: освоение основных принципов и экспериментальных навыков эпитаксиального выращивания полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками на основе арсенида галлия. Подготовлено в Научно-исследовательском физико-технологическом институте ННГУ.
Файлы с полным текстом:
Популярные ресурсы по этой теме
- Физические основы микроэлектроники: Учебное пособие
- Физика и технология гетероструктур, оптика квантовых наноструктур: Учебное пособие
- Полупроводниковые приборы и устройства: Учебное пособие
- Наноэлектронная элементная база информатики на основе полупроводников и ферромагнетиков...
- Основы физики металлических наноструктур: Учебное пособие
- Нанофотника. Часть 1: Учебное пособие
- Краткая теория р-п-перехода: Методические указания к лабораторному практикуму по дисцип...
