Единое окно доступа к образовательным ресурсам

  1. Фильтр ресурсов
  1. Отобранных ресурсов 48

    Аудитория
    2

    46

    46

    Тип ресурса




    Уровень образования

  • Исследование свойств полупроводников методом эффекта Холла. Методические указания по выполнению лабораторной работы

    Абрамов В.Б., Аверин И.А., Карпанин О.В., Медведев С.П., Метальников А.М, Печерская Р.М.

    Указания подготовлены на кафедре микроэлектроники и предназначены для студентов специальностей 200100, 220500, 230300, 190700 при изучении дисциплин "Материалы электронной техники и основы микроэлектроники", "Материалы в приборостроении", "Радиоматериалы и радиодетали", при выполнении УИРС, курсового и дипломного проектирования.

    Тип материала: Методические указания; | Аудитория: Учащийся; Преподаватель; | Уровень образования: Высшее;

  • Исследование поверхности твердых тел методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). Описание лабораторной работы

    Филатов Д.О., Круглов А.В.

    В лабораторной работе рассматриваются принципы работы сканирующего туннельного микроскопа и методика исследования топографии и туннельной спектроскопии поверхности твердых тел. Предназначена для студентов специализации "Физика твердотельных наноструктур", обучающихся по специальности 200.200 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы". Описание лабораторной работы подготовлено в Научно-образовательном центре сканирующей зондовой микроскопии ННГУ в рамках совместной Российско-американской программы "Фундаментальные исследования и высшее образование".

    Тип материала: Методические указания; | Аудитория: Учащийся; Преподаватель; | Уровень образования: Высшее;

  • Исследование инфракрасных фоторезисторов на внутризонных переходах в квантовых ямах InGaAs/GaAs: Описание лабораторной работы

    Горшков А.П., Карпович И.А., Филатов Д.О.

    В работе описаны физические основы межподзонного поглощения излучения в квантовых ямах, принцип работы основанных на этом явлении резистивных инфракрасных фотодетекторов и методика исследования их спектральной характеристики на фурье-спектрометре. Для студентов вузов, обучающихся по специальности 202000 "Нанотехнологии в микроэлектронике". Подготовлено на кафедре физики полупроводников и оптоэлектроники ННГУ.

    Тип материала: Методические указания; | Аудитория: Учащийся; Преподаватель; | Уровень образования: Высшее;

  • Интерференционные многослойные зеркала в оптоэлектронике: Лабораторная работа по курсу "Физико-химические основы технологии"

    Ершов А.В., Карабанова И.А.

    Описание лабораторной работы по курсу "Физико-химические основы технологии" предназначено для студентов старших курсов физического факультета ННГУ, обучающихся по специальности 210601 - "Нанотехнология в электронике". Подготовлено на кафедре физики полупроводников и оптоэлектроники в рамках инновационной образовательной программы ННГУ "Образовательно-научный центр "Новые многофункциональные материалы и нанотехнологии" Национального проекта "Образование".

    Тип материала: Методические указания; | Аудитория: Учащийся; Преподаватель; | Уровень образования: Высшее;

  • Кристаллофизика: Рабочая программа дисциплины

    Цель курса - дать систематическое описание закономерностей макроскопических свойств кристаллов, связанных с их точечной симметрией. Курс базируется на курсах общей физики, тензорного анализа, термодинамики, кристаллографии, физики твердого тела.

    Тип материала: Учебная программа; | Аудитория: Учащийся; Преподаватель; | Уровень образования: Высшее;

  • Электронная микроскопия: Рабочая программа дисциплины

    Курс читается в рамках магистерской подготовки по направлению 510400 - "Физика", программа "Физика полупроводников и микроэлектроника". Основная цель - формирование у студента представлений о физике, технике и возможностях электронно-микроскопического анализа, практических навыков работы с аппаратурой и стандартными электронно-микроскопическими изображениями.

    Тип материала: Учебная программа; | Аудитория: Учащийся; Преподаватель; | Уровень образования: Высшее;

  • Физические основы полупроводниковой микро- и оптоэлектроники: Рабочая программа дисциплины

    Цель курса - знакомство студентов с основами полупроводниковой микро- и оптоэлектроники, дискретными приборами и интегральными схемами, основными терминами, физическими принципами, лежащими в основе работы микро- и оптоэлектронных устройств, технологическими операциями и характеристиками материалов, используемых при производстве микро- и оптоэлектронных полупроводниковых приборов.

    Тип материала: Учебная программа; | Аудитория: Учащийся; Преподаватель; | Уровень образования: Высшее;

  • Электронное материаловедение: Лабораторный практикум

    Титов В А., Рыбкин В.В., Соколов В.Ф., Дубровин В.Ю., Смирнов С.А., Шикова Т.Г., Чернявский С.Р.

    Практикум предназначен для студентов, обучающихся по специальностям 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника" и 251000 "Химическая технология монокристаллов, материалов и изделий электронной техники". Он содержит описание 10 лабораторных работ, направленных на изучение физических явлений в проводниках, полупроводниках и диэлектриках. Каждой лабораторной задаче предшествует краткое теоретическое введение, отражающее существо изучаемого явления, а также основы методов исследования.

    Тип материала: Лабораторный практикум; | Аудитория: Учащийся; Преподаватель; | Уровень образования: Высшее;

  • Исследование квантово-размерных гетероструктур In(Ga)As/GaAs методами фотоэлектрической спектроскопии и просвечивающей электронной микроскопии: Учебно-методическое пособие

    Павлова Е.Д., Волкова Н.С., Горшков А.П., Марычев М.О.

    В учебно-методическом пособии описаны фотоэлектрические методы диагностики энергетического спектра гетеронаноструктур с квантовыми ямами (КЯ) и точками (КТ) типа In(Ga)As/GaAs и их оптоэлектронных свойств. Рассмотрены физические основы возникновения фоточувствительности в области межзонного оптического поглощения квантово-размерных объектов. Обсуждаются закономерности влияния температуры и электрического поля на эмиссию неравновесных носителей из КЯ и КТ. Описан метод просвечивающей электронной микроскопии на поперечном срезе, позволяющий исследовать структурные свойства квантово-размерных слоев. Значительное внимание уделено исследованию структур, перспективных для создания приборов спинтроники.
    Электронное учебно-методическое пособие предназначено для студентов старших курсов, специализирующихся по направлениям 210600 - "Нанотехнология в электронике", 210100 - "Электроника и наноэлектроника", а также для аспирантов ННГУ, обучающихся по основной профессиональной образовательной программе аспирантуры 01.04.10 - "Физика полупроводников".

    Тип материала: Учебник, учебное пособие; | Аудитория: Учащийся; Преподаватель; | Уровень образования: Высшее;

  • Эффект Холла: Практикум

    Павлов Д.А., Планкина С.М., Кудрин А.В.

    В работе прорабатывается и закрепляется материал соответствующего раздела курса лекций "Физика полупроводников": описана теория, основные методы измерения эффекта Холла и методика определения типа, концентрации и подвижности носителей заряда. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению подготовки 210100 - Электроника и наноэлектроника, 222900 - Нанотехнологии и микросистемная техника.

    Тип материала: Лабораторный практикум; | Аудитория: Учащийся; Преподаватель; | Уровень образования: Высшее;

Яндекс цитирования Яндекс.Метрика