Единое окно доступа к образовательным ресурсам

Физические основы микроэлектроники. Учебное пособие

Голосов: 2

Издание представляет собой краткое введение в теорию широкого круга явлений, с которыми приходится непосредственно иметь дело конструктору и технологу радиоэлектронной аппаратуры. Его цель - помочь понять физическую сущность тепловых и электрических свойств твердых тел, контактных и поверхностных явлений в полупроводниках. Предназначено для студентов дневного и заочного отделений специальности 2008, а также студентов других специальностей, желающих систематизировать свои знания в области физики твердого тела.

Приведенный ниже текст получен путем автоматического извлечения из оригинального PDF-документа и предназначен для предварительного просмотра.
Изображения (картинки, формулы, графики) отсутствуют.
                                                    СОДЕРЖАНИЕ

1 КОРПУСКУЛЯРНО-ВОЛНОВОЙ ДУАЛИЗМ ……………….                    3


2 ФАЗОВАЯ И ГРУППОВАЯ СКОРОСТИ ……………………..                   3


3 СООТНОШЕНИЕ НЕОПРЕДЕЛЕННОСТЕЙ ГЕЙЗЕНБЕРГА                 5


4 УРАВНЕНИЕ ШРЕДИНГЕРА …………………………………                        7


5 ПРИМЕРЫ ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ
  УРАВНЕНИЯ ШРЕДИНГЕРА                                      10
  …………………………………………….

  5.1 Движение свободной микрочастицы ……………………..            10

  5.2 Прохождение микрочастицы через потенциальный
      барьер. Туннельный эффект ………………………………                12

  5.3 Движение микрочастицы в потенциальной яме …………        15


6 ОСНОВЫ ЗОННОЙ ТЕОРИИ ТВЕРДЫХ ТЕЛ ……………….                  17

  6.1 Металлы, диэлектрики и полупроводники ………………          19

  6.2 Понятие о дырках ………………………………………….                    21

  6.3 Примесные уровни в полупроводниках ………………….           23

      6.3.1 Донорные уровни …………………………………..                 23

      6.3.2 Акцепторные уровни ………………………………                 25

  6.4 Эффективная масса электрона ……………………………               26

  6.5 Рекомбинационные эффекты ……………………………..                29


7 ОСНОВЫ СТАТИСТИКИ ЭЛЕКТРОНОВ В ТВЕРДЫХ
  ТЕЛАХ ……………………………………………………………                             32

  7.1 Функция распределения для невырожденного газа ……..    37

  7.2 Функция распределения для вырожденного газа
      фермионов                                             38
      ……………………………………………………...

      7.2.1 Распределение электронов в металле при
            абсолютном нуле. Энергия Ферми                  39
            …………………….

      7.2.2 Влияние температуры на распределение Ферми–
            Дирака ………………………………………………                       41

  7.3 Функция распределения для вырожденного газа бозонов   42


  7.4 Положение уровня Ферми и зависимость концентрации
      носителей от температуры в полупроводниках ………….     42

      7.4.1 Зависимость концентрации свободных носителей
            от положения уровня Ферми ……………………...          42

      7.4.2 Положение уровня Ферми и зависимость
            концентрации носителей от температуры в
            собственных полупроводниках                    46
            …………………………………..

      7.4.3 Положение уровня Ферми и температурная
            зависимость концентрации носителей в
            примесных полупроводниках                      48
            …………………………………..

      7.4.4 Закон действующих масс ………………………….             53


8 ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ МЕТАЛЛОВ ……………………..                   54

  8.1 Удельная электропроводность металлов ………………...       54

  8.2 Оценка подвижности. Эффект Холла …………………….           55

  8.3 Правило Матиссена ………………………………………..                  61

  8.4 Механизмы рассеяния ……………………………………..                 62

  8.4 Электропроводность сплавов ……………………………..             65

  8.5 Явления сверхпроводимости ……………………………...             66

9 ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬ ТВЕРДЫХ ТЕЛ …………………….                   70

10 КОНТАКТНЫЕ И ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ ………..                74

  10.1 Методы получения p-n-переходов ………………………            75

  10.2 Работа выхода …………………………………………….                    80

  10.3 Термоэлектронная эмиссия ……………………………...             82

  10.4 Эффект Шоттки …………………………………………..                    86

  10.5 Контактная разность потенциалов ………………………           87

  10.6 Барьер Шоттки ……………………………………………                     89

  10.7 Равновесное состояние p-n-перехода …………………...       92

  10.8 Внутренний фотоэффект ………………………………...               94

      10.8.1 Экситонные состояния …………………………...            97

  10.9 Эффект Ганна ……………………………………………..                    98

  10.10 Поверхностные состояния ……………………………...             101

  10.11 Приповерхностный слой объемного заряда …………..      104

  10.12 Поверхностная рекомбинация ………………………….             106


11 ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ               108


СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ ………………………………………….   111
                             ДЛЯ ЗАМЕТОК



    
Яндекс цитирования Яндекс.Метрика