Единое окно доступа к образовательным ресурсам

Устройства СВЧ и антенны: Методические указания

Голосов: 0

Даны методические указания по выполнению лабораторных работ по дисциплине "Устройства СВЧ и антенны", в которых изучается принцип действия сверхвысокочастотных устройств и измеряются их параметры. Предназначены для студентов направления 210300 "Радиотехника" всех форм обучения.

Приведенный ниже текст получен путем автоматического извлечения из оригинального PDF-документа и предназначен для предварительного просмотра.
Изображения (картинки, формулы, графики) отсутствуют.
    УСТРОЙСТВА СВЧ И
    АНТЕННЫ




             Тамбов
                             ♦
   ♦Издательство ГОУ ВПО ТГТУ♦
              2010


УДК 528.029.4/66
ББК 840.4273
    М194



                            Рекомендовано Редакционно-издательским советом университета



                                                      Р еце нз е нт
                                         Доктор педагогических наук, профессор
                                                     Н.Я. Молотков




М194      Устройства СВЧ и антенны : метод. указания / сост. Н.А.
       Малков. – Тамбов : Изд-во ГОУ ВПО ТГТУ, 2010. – 28 с. – 100 экз.

           Даны методические указания по выполнению лабораторных работ по
       дисциплине «Устройства СВЧ и антенны», в которых изучается принцип
       действия сверхвысокочастотных устройств и измеряются их параметры.
           Предназначены для студентов направления 210300 «Радиотехника»
       всех форм обучения.

                                                      УДК 528.029.4/66
                                                      ББК 840.4273




                             Государственное образовательное учреждение
                              высшего профессионального образования
                              «Тамбовский государственный технический
                              университет» (ГОУ ВПО ТГТУ), 2010


   Министерство образования и науки Российской Федерации
     Государственное образовательное учреждение
       высшего профессионального образования
«Тамбовский государственный технический университет»




   УСТРОЙСТВА СВЧ И АНТЕННЫ
                 Методические указания
           по выполнению лабораторных работ
    для студентов направления 210300 «Радиотехника»
                   всех форм обучения




                        Тамбов
              Издательство ГОУ ВПО ТГТУ
                          2010


                        Учебное издание

      УСТРОЙСТВА СВЧ И АНТЕННЫ
                    Методические указания

                      Составитель
                МАЛКОВ Николай Аркадьевич

              Редактор Л.В. Ко м бар о ва
Инженер по компьютерному макетированию И.В . Е в сее ва

                  Подписано в печать 29.04.2010
  Формат 60 Ч 84 /16. 1,62 усл. печ. л. Тираж 100 экз. Заказ № 147

      Издательско-полиграфический центр ГОУ ВПО ТГТУ
             392000, Тамбов, Советская, 106, к. 14


                                                                                                                                                   Лабораторная работа 1

                                       ИССЛЕДОВАНИЕ ПАССИВНЫХ ВОЛНОВОДНЫХ
                                               ЧЕТЫРЁХПОЛЮСНИКОВ

        Цель работы: 1. Изучить методы исследования четырёхполюсников с помощью матрицы рассеяния [1, 2].
        2. Приобрести навыки исследования четырёхнолюсника с помощью матрицы рассеяния.

                                                                   Содержание работы

        При выполнении лабораторной работы необходимо:
        – исследовать эквивалентные схемы некоторых классов четырёхполюсников;
        – определить их матрицы рассеяния.

                                                                  Методические указания

        1.1. Матрица рассеяния и эквивалентные схемы волноводных четырёхполюсников

    1.1.1. Любая неоднородность в волноводном тракте может рассматриваться как четырёхполюсник СВЧ (рис. 1.1, а).
Полная информация о свойствах четырёхполюсника содержится в его матрице рассеяния [S ], которая связывает
комплексные амплитуды падающих и расходящихся волн в отсчётных плоскостях Р1 и Р2 (рис. 1.1, а).

                                                                    С1+ = S11C1− + S12 C2 − ;
                                                                    &     & &      & &


                                                              &              & iϕ11                           
                                                                S       &
                                                                        S12   S11 e          S12 eiϕ 
                                                                                               &
                                                      [ S ] =  11
                                                                                                            12


                                                                           =                        ;
                                                               S21
                                                              
                                                                &       S22   S21 eiϕ21
                                                                        &
                                                                             
                                                                                &              & eiϕ 
                                                                                               S22     
                                                                                                            22




                                                                   C 2 + = S 21 C1− + S 22 C 2 − .
                                                                   &       & &        & &

      При этом Sij ≤ 1, –π ≤ φij ≤ π.
      Выбор положения отсчётных плоскостей четырёхполюсника достаточно произволен и обычно диктуется
соображениями удобства. При переносе отсчётных плоскостей по направлению от неоднородностей в сечении P1′ и P2′ (рис.
1.1, а) матрица рассеяния [S ] преобразуется в матрицу [ S ′] с другим значением элементов:
                                                                                                            .                          .
                                                                                              S11 = S11 e −i 2 k l ;
                                                                                              &′                     11
                                                                                                                             S12 = S12 e −ik ( l + l ) ;
                                                                                                                             &′                1   1   2


                                                                                                        .                                  .
                                                                                                                                                                   (1.1)
                                                                                             S21 = S21 e −ik1 (l1 + l2 ) ;
                                                                                             &′                                S22 = S22 e −i 2 k1l2 ,
                                                                                                                               &′

где ki – волновое число подводящих волноводных линий; li – электрическая длина.
                                            &
                                            C2 −
а)           &
             C1−                                           &′
                                                           C2 −
C1′−
&

                        Р1             Р2
            P1′
             &                                      P2′
                                                    &
                             1    2    &
                                       C2 +
                  &
                  C                                 &′
                                                    C2 +
  C1′+
  &                1+


                  I1                        I2


                                  &
                                 U1−                &
                                                   U 2−
       б)
                                 &
                                 I1                  &
                                                     I2
                                  &
                                 U1                  &
                                                     U2
                                  &
                                 U1+                &
                                                   U 2+


                                                   Рис. 1.1. Волноводный четырёхполюсник

        Элементы [ S ′] отличаются от элементов [S ] только фазовыми множителями.


    1.1.2. Четырёхполюснику с волноводными подводящими линиями можно сопоставить эквивалентную модель в виде
четырёхполюсника классической теории цепей, к которому подключены линии, работающие на волне Т (ТЕМ). Состояние
                                                                                         & & & &
четырёхполюсника характеризуется при этом комплексными амплитудами напряжений и токов U1 , U 2 , I1 , I 2 , а режим в
                                                                                      &   &    &       &
линиях – комплексными амплитудами падающих и расходящихся волн напряжения и тока ( U , U , U , U , I и т.д.).&
                                                                                                1−   1+   2−   2+   1−
Эквивалентность четырёхполюсника СВЧ и его модели понимается в смысле равенства их S-матриц.
    1.1.3. Если четырёхполюсник на рис. 1.1, б взаимный, то его можно представить эквивалентной схемой, состоящий из
элементов с сосредоточенными параметрами. Например, часто применяют Т- и П-образные схемы. Элементы эквивалентной
схемы должны быть подобраны так, чтобы матрица рассеяния на модели (рис. 1.1, б) совпадала с матрицей рассеяния
оригинала – четырёхполюсника СВЧ.

    1.2. Матрицы рассеяния и эквивалентные схемы некоторых классов четырёхполюсников

     1.2.1. В наиболее общем случае элементы матрицы рассеяния четырёхполюсника независимы друг от друга, и для
полного его описания нужно знать модули и фазы всех четырёх элементов S-матрицы – всего 8 вещественных величин.
Однако существует несколько широких классов четырёхполюсных устройств, у которых между элементами S-матрицы
имеются связи. Учёт этих связей позволяет получить существенные упрощения как при теоретическом рассмотрении
четырёхполюсников, так и при их экспериментальном исследовании.
     1.2.2. Четырёхполюсники, в объёме которых отсутствуют анизотропные включения типа намагниченного феррита, являются
взаимными устройствами. Их матрицы рассеяния симметричны относительно главной диагонали:
                                              S12 = S21 , S12 = S21 , ϕ12 = ϕ21 .
                                              &     &

    1.2.3. Четырёхполюсники, сообщающиеся с внешним пространством только через подводящие волноводы и не
содержащие поглощающих материалов, образуют класс реактивных четырёхполюсников. Матрицы рассеяния таких
устройств унитарны, т.е.

                                                        [S] [ S ]′′ = [1] ,
где [ S ]′′ – матрица, эрмитово-сопряжённая матрице [S]; [1] – единичная матрица.
      1.2.4.        Часто        встречаются                                  четырёхполюсники, имеющие поперечную
плоскость симметрии. Примером такого                                          устройства                             яв-
ляется волноводный уголок (рис. 1.2). В                                       матрице рассеяния таких четырёхполюсников
диагональные элементы одинаковы:                                     Р2
        S =S , S =S , ϕ =ϕ .
       11
         &
            22
               &
                  11   22   11    22


    1.2.5.       Часто       встречаются                                     четырёхполюсники, в объёме которых имеется
                                                      Р1
препятствие малой протяжённости вдоль оси                                    волновода. Как пример, на рис. 1.3, а приведён


                                             Рис. 1.2. Волноводный уголок




                    Рис. 1.3. Симметрично и антисимметрично рассеивающие четырёхполюсники
тонкий штырь, перпендикулярный широким стенкам прямоугольного волновода. Рассмотрим процессы в этой структуре при
возбуждении её волной единичной амплитуды, падающей слева. Под влиянием электрического поля этой волны в штыре
возникает ток (он создаёт вторичные волны, расходящиеся от штыря, причём их электрическое поле зеркально
симметрично относительно плоскости А). Следовательно, амплитуды вторичных волн на Р1 и Р2 равны между собой и
штырь поэтому можно назвать симметричным рассеивающим препятствием. Волна, излучённая штырём налево, есть
единственная волна, уходящая от четырёхполюсника через сечение Р1. Следовательно, её амплитуда на Р1 равна элементу
 &
S11 матрицы рассеяния. В то же время волна, уходящая от четырёхполюсника через сечение Р2, образуется наложением
двух волн, бегущих в одном направлении – первичной (её амплитуда равна на Р1 – e −i 2 k1l1 ) и вторичной (её амплитуда на Р2


                                   &                                                      &
в силу симметричности поля равна S11 ). Сумма амплитуд этих волн есть по смыслу элемент S21 матрицы рассеяния.
               &     &
Таким образом, S21 и S11 симметрично рассеивающего четырёхполюсника связаны соотношением:

                                                                                       S21 = S12 = e −i 2 k l + S11 .
                                                                                       &     &                  &1
                                                                                                                                                       (1.2)

     На рисунке 1.3, б приведён пример антисимметричного рассеивающего препятствия – поперечная щель в широкой
стенке волновода. Амплитуды волн, излученных щелью направо и налево, отличаются только знаком. Поэтому
                                                                        S21 = S12 = e −i 2 k1l − S11 .
                                                                        &     &                  &             (1.3)
     Учёт специальных свойств четырёхполюсников отражается и на их эквивалентных схемах. В частности, эквивалентные
схемы реактивных четырёхполюсников содержат только реактивные сопротивления и проводимости. Т- и П-образные схемы
(рис. 1.4), соответствующие четырёхполюсникам с плоскостью симметрии, сами симметричны (Z1 = Z3). Для случая
симметрично или антисимметрично рассеивающих четырёхполюсников эквивалентные схемы могут быть сведены к
параллельной проводимости или к последовательному сопротивлению. Для этого нужно только отсчётные плоскости Р1 и Р2
совместить с плоскостью симметрии четырёхполюсника. Ниже приводятся известные выражения, позволяющие по
элементам S-матрицы симметричного четырёхполюсника рассчитать величины сопротивлений и проводимости эквивалентных
Т- и П-образных схем:

                                                               Z1        Z3          1 + S11 − S12
                                                                                         &     &               Z2               &
                                                                                                                               2S12
                                                                    =            =                 ;                 =                             ;   (1.4)
                                                               ρ         ρ           1 − S11 &12
                                                                                         & +S                  ρ         (1 − S11 )
                                                                                                                                      2
                                                                                                                              &            − S12
                                                                                                                                             &2




                                           Рис. 1.4. Т- и П-образная схемы



                                                                Y Y 1 + S11 − S12
                                                                         &    &                                Y          &
                                                                                                                       2 S12
                                                                 1
                                                                   = 3 =          ;                             2
                                                                                                                  =              ,                     (1.5)
                                                                g g 1 − S11 + S12
                                                                         &    &                                g (1 − S )2 − S 2
                                                                                                                      &      &
                                                                                                                       11     12



где ρ и g = 1/ ρ – волновое сопротивление и волновая проводимость линий, подключаемых к четырёхполюсникам (рис. 1.4).
     1.2.6. Если четырёхполюсник одновременно принадлежит к нескольким из рассмотренных классов, то число
независимых параметров, определяющих его S-матрицу, оказывается существенно меньше 8. Например, симметричный
четырёхполюсник в виде отрезка волновода с поперечной щелью (см. рис. 1.3, б) имеет S-матрицу вида

                                                                                       S11eiϕ   11
                                                                                                               e −i 2 k l − S11eieϕ 
                                                                                                                     1                11

                                                                [S] =            − i 2 k1l            ieϕ11                iϕ11
                                                                                                                                           .          (1.6)
                                                                             e
                                                                                             − S11e                 S11e                  
                                                                                                                                           
                                              &
целиком определяемую модулем и фазой элемента S11 и электрическим расстоянием между плоскостями отсчёта 2k1l.
    1.2.7. Четырёхполюсник одновременно взаимный, реактивный, симметричный и симметрично рассеивающий имеет S-
                                                             &
матрицу, все элементы которой выражаются через фазу элемента S (φ11) и электрическое расстояние между отсчётными
                                                                    11
плоскостями 2k1l:

                                                                     − cos(2k1l + ϕ11 )eϕ11                    −i sin ( 2k1l + ϕ11 ) eiϕ11 
                                                            [S] =                                                                          .         (1.7)
                                                                     −i sin ( 2k1l + ϕ11 ) eiϕ11
                                                                                                                                      ϕ
                                                                                                               − cos(2k1l + ϕ11 )e 11     


                                                                                 &
    Заметим, что поскольку величина –cos(2k1l + φ11) в формуле (1.7) есть модуль S11 , т.е. неотрицательная величина, то
угол 2k1l + φ11 находится в одном из следующих интервалов (–π, –π/2) или (π, π/2).
     Примерами таких четырёхполюсников являются индуктивные диафрагмы, индуктивные штыри и розетки индуктивных
штырей в прямоугольном волноводе, представленные на рис. 1.5.


     Индуктивная              Индуктивный                  Решётка
      диафрагма                  штырь                     штырей
          а)                             б)                          в)

                            Рис. 1.5. Взаимные, реактивные, симметричные и симметрично
                                             рассеивающие препятствия

    1.3. Лабораторная установка

     Схема лабораторной установки приведена на рис. 1.6. В неё входят: генератор СВЧ Г, измерительная линия ИЛ с
индикаторным прибором, короткозамыкатель КЗ, согласованная нагрузка, плунжер с подвижным короткозамыкателем и набор
исследуемых волноводных четырёхполюсников.


    1.4. Задание и указания к выполнению работы

    1.4.1. В данном пункте задания требуется исследовать четырёхполюсник в виде волновода с поперечной щелью. Как
                                                                           &
следует из формулы (1.6), измерению подлежат модуль и фаза элемента S11 матрицы рассеяния, т.е. собственный
коэффициент отражения четырёхполюсника, когда к его выходу подключена согласованная нагрузка. Порядок измерения
следующий.




                              λ1/2



                                     Z




                                               Z1

                                           Рис. 1.6. Лабораторная установка
     1.4.1.1. Включается генератор и устанавливается частота, заданная преподавателем. Измерительная линия
закорачивается короткозамыкателем КЗ. В ИЛ при этом устанавливается стоячая волна (режим 1).
     1.4.1.2. Резонатор ИЛ настраивается по максимуму показаний индикатора. Зонд ИЛ устанавливается в один из узлов
стоячей волны. Отсчёт по шкале перемещений ИЛ принимается за нуль координаты z. Измеряется длина волны в волноводе
λ1.
     1.4.1.3. Короткозамыкатель КЗ заменяется исследуемым четырёхполюсником, к выходу которого подключается
согласованная нагрузка. В ИЛ устанавливается режим смешанных волн (режим 2).
     1.4.1.4. Зонд ИЛ устанавливается в минимум поля и измеряется смещение минимума z1 относительно условного нуля.
По найденному z1 определяется фаза φ11:
                                                                               4π
                                                                       ϕ11 = −    z1 + ( 2m + 1) π,            (1.8)
                                                                               λ1
причём целое число m выбирается таким образом, чтобы φ11 лежало в интервале (–π, π).
                                           a min
    1.4.1.5. Измеряется Kбв в линии: Kбв =       , где amin, amax – показания индикаторного прибора при установке зонда в
                                           a max
минимум и максимум поля. По величине Kбв рассчитывается S11 матрицы рассеяния:
                                                                                      1 − Kбв
                                                                                S11 =         .                      (1.9)
                                                                                      1 + Kбв
    1.4.1.6. Измеряется расстояние между отсчётными плоскостями четырёхполюсника 2l и рассчитывается электрическая
длина 2k1l = 4πl/λ1.


     1.4.1.7. По формуле (1.6) рассчитываются все S элементы матрицы.
     1.4.1.8. По формулам (1.4), (1.5) вычисляются величины сопротивлений всех элементов Т-образной эквивалентной
схемы.
     1.4.1.9. Рассчитываются элементы S-матрицы и эквивалентной схемы при переносе отсчётных плоскостей в плоскость
симметрии четырёхполюсника, которая проходит через продольную ось щели. Эквивалентная схема должна при этом
преобразовываться в продольное сопротивление.
     1.4.2. В данном пункте задания требуется исследовать один из четырёхполюсников, приведённых на рис. 1.5.
     Измерения следует провести по методике пункта 1.4.1.
     Обратите внимание на то, что согласно (1.7), для нахождения всех элементов S-матрицы достаточно определить только
φ11. Поэтому определение Kбв и последующий расчёт S11 кажется излишним. Это действительно так, если S11 близко к
единице. Тогда в линии в режиме 2 устанавливается волна, близкая к стоячей, её минимумы чётко фиксируются, и φ11 по
формуле (1.8) определяется с достаточной точностью. Величина S11, найденная по Kбв , служит только для контроля
результатов: значение S11, рассчитанное по Kбв должно оказаться близким к S11 = − cos(2k1l + ϕ11 ) , вычисленному через φ11.
                                                                            &
Если же S11 заметно меньше 1, то координаты минимумов определяются с существенной погрешностью. В этом случае
обработчику экспериментальных данных нужно вести так. По найденному с помощью формулы (1.9) значению S11
известному параметру 2k1l находится φ11 как корень уравнения
                                                                              –cos(2k1l + φ11) = S11 .                (1.10)

                                                          ′′                                                 ′′
      Это уравнение имеет два корня. Один из них (2k1l + ϕ11 ) лежит в интервале (–π, –π/2), другой (2k1l – ϕ11 ) – в интервале
                                                                                                  ′    ′′
(π/2, π). Соответственно и φ11 из (1.10) находится неоднозначно: получаем два значения – ϕ11 , ϕ11 . Из них истинным
является, то которое ближе к φ11, найденному методом смещения минимума по формуле (1.8).
      1.4.3. При весьма малых значениях S11 измерения по методу пунктов 1.4.1 и 1.4.2 дают весьма неточные результаты, так
как начинает сказываться отличие применяемой нагрузки от идеально согласованной. В таких случаях следует применять
метод смещения узлов, описанный в разделе 1.6. Нагрузка на рис. 1.6. заменяется волноводным плунжером, проводятся
измерения с подразделами 1.6.1 – 1.6.5. Элементы S-матрицы определяются в таком порядке: по формуле (1.6) вычисляется
                                                             ′    ′′
S11, затем по S11, находятся два корня уравнения (1.10) ϕ11 , ϕ11 , и отбирается тот, который ближе к экспериментально
определённому по формуле (1.2).

     1.5. Содержание отчёта

     1.   Схема лабораторной установки с указанием типа приборов и номеров исследуемых четырёхполюсников.
     2.   Таблицы и графики всех величин, полученных в результате измерений и расчётов.
     3.   Рассчитанные матрицы рассеяния.
     4.   Рассчитанные параметры эквивалентных схем.
     5.   Вывод и замечания по работе.

     1.6. Измерение элементов матрицы рассеяния четырёхполюсника СВЧ методом узлов

    Определение элементов S-матрицы четырёхполюсников методом смещения узлов производится в такой
последовательности.
    1.6.1. ИЛ закорачивается на правом конце, зонд ИЛ устанавливается в узле стоячей волны, и отсчёт по шкале
перемещений ИЛ а1 принимается за условный нуль для ИЛ. Зонд ИЛ не смещать!
    1.6.2. Вместо короткозамыкателя к выходу ИЛ присоединяется плунжер ПЛ. Плунжер устанавливается в положение а 2 ,
при котором зонд ИЛ снова оказывается в узле стоячей волны. Отсчёт а 2 по шкале ПЛ принимается за условный нуль для
ПЛ.
                                       Y             Х


                                            Y
                                                                                A



                                                                X                    K2Zk


                                         Рис. 1.7. График разности угловых смещений

     1.6.3. Исследуемый четырёхполюсник включается между ИЛ и ПЛ. ПЛ последовательно устанавливается в положения
zk1 = a 2 , zk 2 = ... ; определяются соответствующие положения узлов в ИЛ: zy1 , zy2 , ... .
                                                                                                                2π        2π
     1.6.4. По найденной функции Z y = f ( zk ) рассчитываются угловые смещения K1 Z y и K2 Zk ( K1 =              , K2 =    –
                                                                                                                λ1        λ2
волновые числа в ИЛ и ПЛ) и строится график их разности Y = K1 Z y − K2 Zk в зависимости от K2 Zk (рис. 1.7).


        1.6.5. По графику угловых смещений узлов Y = y( K2 Zk ) можно найти величины, определяющие S-матрицу.
        По вертикальному размаху кривой А определяется S11 :
                                                                                             A
                                                                                 S11 = sin       .                        (1.10)
                                                                                             2
                                                                                π
        По постоянной составляющей y0 определяется ϕ12 (с неопределённостью ±     ):
                                                                                2
                                                                                    π       π
                                                                          ϕ12 = (2n + 1)
                                                                                      − y0 ± .                  (1.11)
                                                                                    2       2
        Целое число n (положительное или отрицательное) подбирается так, чтобы оба значения ϕ12 оказались в интервале
(−π, π) .
        По абсциссе x0 точки пересечения кривой Y = y( K2 Zk ) с линией Y = y0 на возрастающем участке графика находится
ϕ11 :
                                                                              ϕ11 = 2mπ − 2( x0 + y0 ) .                  (1.12)
        Целое число m (положительное или отрицательное) подбирается так, чтобы ϕ11 оказалось в интервале (−π, π) .
        Неопределённость ϕ12 обычно может быть устранена путём привлечения дополнительной информации об S-матрице.

        1.7. Контрольные вопросы

    1. В чём состоит физический смысл элементов S-матрицы?
    2. Как влияет на S-матрицу сдвиг плоскостей отсчёта?
    3. В чем состоит основное достоинство модели четырёхполюсника СВЧ в виде классического четырёхполюсника с
подключаемыми к нему линиями с волной ТЕМ?
    4. В каком смысле должны быть эквивалентны эта модель и её оригинал – четырёхполюсник СВЧ?
    5. Сколько можно предложить эквивалентных схем четырёхполюсника СВЧ?
    6. В каких случаях S-матрица является симметричной?
    7. В каких случаях S-матрица является унитарной?
    8. В каких случаях в S-матрице равны диагонали?
                                                                                                        &
    9. Поясните, почему у симметрично или ассиметрично рассеивающих четырёхполюсников связаны элементы S11 и
 &
S ?
 21
        10. Как сказывается на эквивалентных схемах четырёхполюсников наличие у них специальных свойств: реактивности и
т.д.?
    11. Опишите методику измерения элементов S-матриц, симметрично рассеивающих четырёхполюсников СВЧ.
    12. Почему для четырёхполюсников с S11 < 1 неидеальность нагрузки сильно сказывается на точности измерения?
    13. Можно ли найти элементы S-матрицы четырёхполюсника по экспериментально найденному собственному Kбв?
    14. Как следует проводить экспериментальное определение элементов S-матрицы слабо рассеивающих
четырёхполюсников?


                                                                                                           Лабораторная работа 2

                                        ИССЛЕДОВАНИЕ РУПОРНЫХ АНТЕНН

    Цель работы: изучить конструкцию рупорных антенн, исследовать диаграммы направленности и поляризационные
характеристики рупорных антенн.

                                                  Методические указания

    При выполнении работы необходимо:
     1. Снять диаграммы направленности в плоскостях Н и Е пирамидальной рупорной антенны (антенна 1) и открытого
конца волновода (антенна 3).
     2. Снять диаграмму направленности в горизонтальной плоскости пирамидальной рупорной антенны с квадратным
раскрывом (антенна 2).
     3. Снять поляризационные характеристики пирамидальной рупорной антенны с квадратным раскрывом, открытого
конца волновода и определить их коэффициенты эллиптичности.

        2.1. Описание лабораторной установки

    В состав лабораторной установки входят следующие основные элементы:
    1. Комплект исследуемых рупорных антенн: пирамидальный рупор (антенна 1), рупорная антенна с квадратным
раскрывом (антенна 2), открытый конец волновода (антенна 3).
     2. Поворотный штатив с лимбом на 360°.



    
Яндекс цитирования Яндекс.Метрика